固態(tài)硬盤的顆粒知識(shí)

固態(tài)硬盤閃存顆粒：浮柵晶體管cell、string cell串、頁(yè)page、扇區(qū)sector、塊block、分組plane、晶圓die(lun) 、Target、Device(芯片chip)等組成。

Page是閃存當(dāng)中讀取和寫入的最小單位，block是最小擦除單元。

一個(gè)閃存顆粒中可能封裝1-16個(gè)die。

封裝方式：

TSOP封裝：薄型小尺寸封裝。英文：Thin Small Outline Package。

BGA封裝：焊球陣列封裝。

LGA封裝：觸點(diǎn)陳列封裝。

常州數(shù)據(jù)恢復(fù)

閃存顆粒廠商：

TOSHIBA 東芝（日本）

海士力sk~hynix 原現(xiàn)代內(nèi)存（韓國(guó)）

micron 鎂光（美國(guó)）

Samsung 三星（韓國(guó)）

由于多個(gè)存儲(chǔ)單元共用了一根位線，NAND閃存不能像內(nèi)存或者NOR閃存那樣隨機(jī)尋址并且自由讀寫其中的任意單元，擦除也必須要以塊為單位進(jìn)行。擦除閃存所花費(fèi)的時(shí)間是讀取和寫入操作的數(shù)倍。如果讀取數(shù)據(jù)耗時(shí)0.025 Ms，寫入數(shù)據(jù)耗時(shí)0.200Ms，那么擦除耗時(shí)1.500Ms。NAND閃存在使用中必須要有一個(gè)gc 垃圾回收機(jī)制。

Win10查看固態(tài)硬盤是否開(kāi)啟了trim功能：

Windows+R，命令行窗口執(zhí)行：

fsutil behavior query disabledeletenotify

查詢結(jié)果0是開(kāi)啟，1是禁用。

每個(gè)page的大小通常是16KB。

Flash在寫之前一定要擦除，flash 擦除就是往里面寫1的過(guò)程。

SSD固態(tài)硬盤最小的IO單位是1個(gè)Page頁(yè)。

一般一塊固態(tài)硬盤保存數(shù)據(jù)的年限為10年。

固態(tài)硬盤主控的廠商主要有：

1.marvell邁威

2.SandForce

3.siliconmotion慧榮

4.phison群聯(lián)

5.jmicron智微

固態(tài)硬盤主流的閃存顆粒廠商有：

1.toshiba東芝

2.samsung三星

3.Intel英特爾

4.micron美光

5.skhynix海士力

南通數(shù)據(jù)恢復(fù)

6.sandisk閃迪

二月二，龍?zhí)ь^